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伦敦穿透深度
更新 2026-08-17 21:13:07
| 词语 | 伦敦穿透深度 |
|---|---|
| 拼音 | lún dūn chuān tòu shēn dù |
| 拼音字母 | lun dun chuan tou shen du |
| 拼音首字母 | ldctsd |
| 注音 | ㄌㄨㄣˊ ㄉㄨㄣ ㄔㄨㄢ ㄊㄡˋ ㄕㄣ ㄉㄨˋ |
| 注音符号 | ㄌㄨㄣ ㄉㄨㄣ ㄔㄨㄢ ㄊㄡ ㄕㄣ ㄉㄨ |
扩展释义
在超导体中，伦敦穿透深度是指磁场穿进超导体中，并减弱为超导体表面处强度之1/e时的深度。 伦敦穿透深度一般为50至500纳米。
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更新 2026-08-17 21:13:07
| 词语 | 伦敦穿透深度 |
|---|---|
| 拼音 | lún dūn chuān tòu shēn dù |
| 拼音字母 | lun dun chuan tou shen du |
| 拼音首字母 | ldctsd |
| 注音 | ㄌㄨㄣˊ ㄉㄨㄣ ㄔㄨㄢ ㄊㄡˋ ㄕㄣ ㄉㄨˋ |
| 注音符号 | ㄌㄨㄣ ㄉㄨㄣ ㄔㄨㄢ ㄊㄡ ㄕㄣ ㄉㄨ |
在超导体中，伦敦穿透深度是指磁场穿进超导体中，并减弱为超导体表面处强度之1/e时的深度。 伦敦穿透深度一般为50至500纳米。